Push-Pull & Open-Drain

<< Push-Pull >>

內部有一對互補的MOSFET，支援 Sink/Source 電流。
即當Q1導通、Q2截止時輸出高電位，而當Q1截止導通、Q2導通時輸出低電。
但缺點是，一條總線上只能有一個Push-Pull輸出。

Push-Pull有 PMOS+NMOS 故擁有push (source current from PMOS) & pull( sink current to NMOS)。

以使用來說，Push Pull較常在Logic IC(TTL/CMOS)出現。

以應用來說，驅動下一級之能力：Push Pull > Open Drain

<< Open-Drain >>

有Open-Drain輸出的元件是指內部輸對地之間有個N-MOSFET(Q1)，這些元件可以用於電壓轉換的應用，其輸出電壓由Vcc 決定。

V_cc可以大於輸入電壓(up-translate)也可以低於輸入電壓(down－translate)。
也因此，常在電路設計上用NMOSFET做Level shift，但電壓轉換若低至1.8v，則不建議使用此方法來做。
最保險的穩定的做法是採用IC 式的 Level shift (如TCA9406) 來做設計。

       
Open-Drain電路對於各種電壓節點間的電位轉換非常有用。但是，這種電位轉換的方法存在一些缺點。 

例如，輸出電位為Low時，N-MOS是導通的，這樣在V_cc'和GND之間有一個持續的電流流過上拉電阻R_pullup。這會影響整個系統的功耗。
雖然採用較大值的Pull up電阻可以減小電流。但是大的阻值會使輸出信號的上升時間(slew rate)變慢。

Open-Drain顧名思義只有NMOS，pull-down(sink current)的能力。Open-Drain未接pull-up電阻則只能做float / pull-low的動作。

以使用來說，Open Drain較常在Micro-controller IC出現。

以應用來說，結合不同準位：Open Drain > Push Pull，輸入出阻抗：Push Pull > Open Drain。